Propiedades físicas de grafeno en presencia de desorden topológico

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dc.contributor.advisor Hernández Vozmediano, María Ángeles
dc.contributor.author Cortijo Fernández, Alberto
dc.date.accessioned 2008-04-09T11:13:07Z
dc.date.available 2008-04-09T11:13:07Z
dc.date.issued 2007-10
dc.date.submitted 2007-11-29
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10016/2370
dc.description.abstract El grafeno es un cristal bidimensional consistente en una red hexagonal de átomos de carbono. Su estructura de bandas a baja energía y en situación de medio llenado viene descrita por la ecuación de Dirac sin masa en (2+1) dimensiones. Este hecho hace que gran parte de las propiedades electrónicas y de transporte que presenta este sistema sean diferentes a aquellas que se encuentran en los semiconductores de baja dimensionalidad usuales. En la realidad, las muestras de grafeno se encuentran curvadas. Las principales fuentes de curvatura son las fluctuaciones térmicas, los defectos topológicos y las interacciones con el sustrato. El hecho de encontrarse curvado hace que el grafeno presente modificaciones en sus propiedades físicas con respecto a la situación ideal. En esta tesis proponemos un modelo de fermiones de Dirac en espacios curvos para modelizar estas desviaciones devidas a la curvatura en las propiedades electrónicas y de transporte del grafeno. Hemos calculado perturbativamente la densidad de estados local en presencia de defectos topológicos y en presencia de corrugaciones suaves. También hemos calculado la conductividad DC a nivel semiclásico en el grafeno curvado por defectos topológicos, encontrando un comportamiento de tipo difusivo, en contraste con la conductividad hallada para otros tipos de desorden estudiados en la literatura. Por último, proponemos una forma alternativa a las expuestas hasta ahora en la literatura para la obtención de haces electrónicos polarizados en el índice de valle, por medio del uso de la distorsión trigonal en las bandas del grafeno. Este efecto de separación de haces puede observarse en uniones n-p-n bajo unas condiciones ac- cesibles experimentalmente. Por último, describiremos este mismo efecto en cristales fotónicos.
dc.format.mimetype application/pdf
dc.language.iso spa
dc.rights Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subject.other Física del estado sólido
dc.subject.other Semiconductores
dc.subject.other Propiedades físicas
dc.subject.other Grafeno
dc.title Propiedades físicas de grafeno en presencia de desorden topológico
dc.type doctoralThesis
dc.type doctoralThesis
dc.type.review PeerReviewed
dc.subject.eciencia Física
dc.rights.accessRights openAccess
dc.contributor.departamento Universidad Carlos III de Madrid. Departamento de Ciencia e Ingeniería de Materiales e Ingeniería Química
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